K. Mathwig
Monomodige InP-basierende Quantenpunktlaser: Herstellung, statische und dynamische Eigenschaften
Diplomarbeit, Universität Würzburg (2005).
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Ziel dieser Arbeit war die Herstellung von InP-Quantendash-DFB-Lasern mit einer Wellenläge um 1,55 μm für Telekommunikationsanwendungen. Der Schwerpunkt der Diplomarbeit lag in der Entwicklung von auf die speziellen Materialeigenschaften von Quantendash-Laserstrukturen abgestimmten Trockenätzprozessen für die laterale Nanostrukturierung. Damit wurden monomodig emittierende Laserbauelemente hergestellt, und deren spezielle Eigenschaften wurden charakterisiert.

W. Kaiser, K. Mathwig, S. Deubert, A. Somers, A. Forchel, J.P. Reithmaier, O. Parillaud, M. Krakowski, D. Hadass, V. Mikhelashvili, G. Eisenstein and M. Legge
Laterally Coupled DFB Lasers Based on InAs/lnP-QDash Structures for
Broadband Applications
31st European Conference on Optical Communications (ECOC) 3 (2005) 559.
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Laterally coupled DFB lasers based on quantum dashes were fabricated by FIB lithography. CW­ powers above 30 mW, high SMSRs, a modulation bandwidth of 7.6 GHz and singlemode emission from 1.5 to 1.9 µm were demonstrated.

W. Kaiser, K. Mathwig, S. Deubert, J. P. Reithmaier, A. Forchel, O. Parillaud, M. Krakowski, D. Hadass, V. Mikhelashvili and G. Eisenstein
Static and dynamic properties of laterally coupled DFB lasers based on InAs/InP QDash structures
Electronic Letters 41 (2005) 808.
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Laterally coupled, complex distributed feedback lasers based on AlInGaAs/InAs/InP quantum dash layers were fabricated by maskless focused ion beam lithography. Continuous-wave powers above 30 mW at room temperature, sidemode suppression ratios of 44 dB and a modulation bandwidth of 7.6 GHz were demonstrated.